Рост кристаллов Au на аморфной тонкой пленке Ge

Рамановское изображение тонкой пленки Ge на подложке SiO₂/Si нагретой до 400°.

Длина волны лазера	532 нм
Объектив	10x N.А. = 0,3
Количество спектров	2000 (200×10)
Время измерения	11 мин

Схема образца

Рамановский спектр кристаллического и аморфного Ge

На рисунке показан пример процесса кристаллизации Ge методом каталитической металлической индуцированной кристаллизации (Metal Induced Crystallization: MIC) при температуре 400°C и соответствующие спектры комбинационного рассеяния. На рамановском изображении видно, образованный на подложке SiO₂/Si аморфный германий растет вместе с золотом в качестве центра кристаллизации. Из спектра комбинационного рассеяния можно четко различить кристаллический германий (красный), аморфный германий (синий) и его промежуточную фазу (зеленый).

Рамановская спектроскопия позволяет проводить наблюдения при нагреве образца. На рисунке ниже показан пример выращивания кристаллического германия осажденного на катализатор Au и наблюдение профиля по линии для кристаллического германия при нагреве образца со скоростью 20°С/мин. Видно, что с ростом температуры образца область кристаллического германия расширяется.

Оптическое изображение область анализа

Профиль интенсивности пика кристаллического Ge при каждой температуре (вдоль линии)