Рамановское изображение распределения напряжений на кремниевой подложке
| Длина волны лазера | 532 нм |
| Объектив | 100x N.А. = 0,9 |
| Решетка | 2400 реш./мм |
| Количество спектров | 60000 (400×150) |
| Время измерения | 20 мин |
На верхнем изображении показано распределение пикового сдвига от подложки Si. Рамановская визуализация является мощным инструментом для анализа пространственного распределения напряжений вокруг границы тонкой пленки на подложке Si путем количественного определения сдвига рамановского пика.
Увеличенное изображение.
На рисунке справа показано смещение рамановского пика Si вдоль пунктирной линии. Оборудование RAMANtouch может определить положение пика с точностью более чем 0,1 см-1.
Линейный профиль смещения рамановского пика.
Спектральное разрешение часто неправильно понимают.
Спектральное разрешение в основном определяется как способность разделять близкие пики. Спектральное разрешение зависит от различных факторов, таких как фокусное расстояние спектрометра, решетка и ширина лазера возбуждения. Непосредственно можно охарактеризовать спектральное разрешение рамановского микроскопа путем измерения полуширины пика рэлеевского рассеяния (когерентное рассеяние света без изменения длины волны). С другой стороны, измерение напряжения требует точности определения пика, которая может быть оценена по отклонению положения пика повторных измерений.