Обнаружение границы зерен в пленке Si
Изображение смещения рамановского пика от тонкопленочного кристаллического кремния.
Оптическое микроскопическое изображение тонкопленочного кристаллического кремния.
| Длина волны лазера | 532 нм |
| Объектив | 100x N.А. = 0,9 |
| Количество спектров | 80000 (400×200) |
| Время измерения | 17 мин |
На изображенихя выше показно распределение границ зерен в тонкой пленке кристаллического кремния с помощью оптического микроскопа и анализ сдвига рамановского пика соответственно. Как видно на оптическом микроскопе, тонкие пленки, по-видимому, равномерно кристаллизуются, но доказательство границ кристаллических зерен в поликремний можно наблюдать только с помощью анализа смещения пиков рамановского рассеяния кремния.
Информация о анализируемом образце
Пленку из кристаллического кремния получают путем отжига тонкой пленки из аморфного кремния толщиной 50 нм методом быстрого импульсного термического отжига, которая используется в качестве материала тонкопленочного транзистора.
*Образец был предоставлен профессором Юкихару Ураока из Нараского института науки и технологии.
Два изображения ниже показывают рамановское картирование поверхности образца перед отжигом. Распределение кристаллического кремния и аморфного кремния в тонкой пленке можно наблюдать с помощью оптического микроскопа или комбинационного рассеяния. На рамановском изображении зеленый цвет соответствует пику комбинационного рассеяния 520 см-1 от кристаллического кремния, красный цвет - широкому пику 470 см-1 от аморфного кремния соответственно.
Изображение сдвига пика (тестовый образец)
Небольшие величины кристаллической деформации можно обнаружить по величине сдвига положения пика комбинационного рассеяния материала. Полученный спектр комбинационного рассеяния соответствует сумме двух или более функций Гаусса или функций Лоренца. В RAMANtouch величина сдвига пика может быть обнаружена с высокой точностью, которая превышает 0,1 см-1.