Обнаружение границы зерен в пленке Si
![](/assets/templates/img/application/poluprovodnikovye-materialy/obnaruzhenie-granicy-zeren-plenke-si/grain-boundaries-1.jpg)
Изображение смещения рамановского пика от тонкопленочного кристаллического кремния.
![](/assets/templates/img/application/poluprovodnikovye-materialy/obnaruzhenie-granicy-zeren-plenke-si/grain-boundaries-2.jpg)
Оптическое микроскопическое изображение тонкопленочного кристаллического кремния.
Длина волны лазера | 532 нм |
Объектив | 100x N.А. = 0,9 |
Количество спектров | 80000 (400×200) |
Время измерения | 17 мин |
На изображенихя выше показно распределение границ зерен в тонкой пленке кристаллического кремния с помощью оптического микроскопа и анализ сдвига рамановского пика соответственно. Как видно на оптическом микроскопе, тонкие пленки, по-видимому, равномерно кристаллизуются, но доказательство границ кристаллических зерен в поликремний можно наблюдать только с помощью анализа смещения пиков рамановского рассеяния кремния.
Информация о анализируемом образце
Пленку из кристаллического кремния получают путем отжига тонкой пленки из аморфного кремния толщиной 50 нм методом быстрого импульсного термического отжига, которая используется в качестве материала тонкопленочного транзистора.
*Образец был предоставлен профессором Юкихару Ураока из Нараского института науки и технологии.
Два изображения ниже показывают рамановское картирование поверхности образца перед отжигом. Распределение кристаллического кремния и аморфного кремния в тонкой пленке можно наблюдать с помощью оптического микроскопа или комбинационного рассеяния. На рамановском изображении зеленый цвет соответствует пику комбинационного рассеяния 520 см-1 от кристаллического кремния, красный цвет - широкому пику 470 см-1 от аморфного кремния соответственно.
![](/assets/templates/img/application/poluprovodnikovye-materialy/obnaruzhenie-granicy-zeren-plenke-si/grain-boundaries-3.jpg)
Изображение сдвига пика (тестовый образец)
![](/assets/templates/img/application/poluprovodnikovye-materialy/obnaruzhenie-granicy-zeren-plenke-si/grain-boundaries-4.jpg)
Небольшие величины кристаллической деформации можно обнаружить по величине сдвига положения пика комбинационного рассеяния материала. Полученный спектр комбинационного рассеяния соответствует сумме двух или более функций Гаусса или функций Лоренца. В RAMANtouch величина сдвига пика может быть обнаружена с высокой точностью, которая превышает 0,1 см-1.