Рамановское изображение графена выращенного методом ХОГФ

Метод химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) является перспективным методом получения графена на большой площади. На рисунке показано рамановское изображение графена выращенного на эпитаксиальной тонкой пленке Ni методом ХОГФ. Установлено, что однослойный графен формировался только в агрегате зерна Ni, а многослойный графен образовывался вдоль границы бикристаллов. Многослойный графен был образован путем сегрегации углерода, а образование бикристаллов в тонкой пленке Ni препятствует равномерному росту графена.

Рамановское изображение интенсивности G-полосы.
Длина волны лазера: 532 нм
Объектив: 100x N.А. = 0,9
Время измерения: 9 мин

Литература:
S. Yoshii, K. Nozawa, K. Toyoda, et al., Nano Lett. 11 (2011) 2628-2633.